制冷型高分辨率像增强CCD相机
PSL在过去的24年里为很多的最终用户和OEM提供过增强型的相机。增强器通过光纤耦合实现了对CCD或快速CMOS传感器进行理想光子传输,以及展现理想的信噪比。特殊的选通可降至几ns和高重复率:即30 kHz(可选MHz)允许快速数字化瞬态采集和在低光条件下使用。
技术参数
增强型相机 |
增强型CCD相机 |
增强型CMOS相机 |
4或6微米像元 |
1392(h) ×1040(v) CCD阵列 |
1280(h)×1024(v) CMOS阵列 |
快速P43(1 毫秒衰减@10%)和P46(0.2us@10%)输出衰减 |
输入像素尺寸: 6.45 x 6.45微米 |
输入像素尺寸: 12 x 12微米 |
单微通道板(MCP)分辨率> 60 lp /mm,调制对比度高,可达8000个发光增益 |
1:1 (11mm) - 1.6:1 (18mm) and 2.2:1 (25mm)demagnification ratio between intensifier and CCD diagonal |
1.27:1 (25mm) demagnification ratio between intensifier and CMOS diagonal |
双MCP堆栈,光子计数灵敏度高达300,000光量增益 |
13 fps,全分辨率@ 25 MHz |
500 fps @全分辨率@ 67 MHz |
输入尺寸从18毫米到25毫米不等 |
32 fps在binning 2x2@12.5 MHz |
ROI VGA格式> 1000 fps |
石英,玻璃和或光纤输入窗口,光纤输出窗口 |
读出噪声:8-9电子@12.5兆赫和11-13电子@25mhz |
帧速率:在1024x16分辨率下为25 kHz |
多碱光电阴极, EBI噪声可降至每像素每秒3×10-3 counts/秒/像素,用于UV和蓝光响应的相机 |
全阱容量: 18,000 electrons in binning 1x1 and32,000 electrons in binning 2x2 |
读出噪声: 43 电子 @ 67 MHz |
GaAsP和GaAs光电阴极分别选择可见和红光响应相机, EBI噪声6×10-2 counts/秒/像素 |
暗电流: 3个电子/像素/秒 |
全阱容量: 63,000个电子 |
标准选通: 100ns 30 kHz重复频率 |
Full vertical binning for 1D spectroscopy |
暗电流:12个电子/像素/帧@全分辨率 |
通过使用特殊的导电涂层,超快速选通至3纳秒,使用专用脉冲发生器/门控电源单元实现MHz重复频率,门电路时间可调,延迟时间可达纳秒级 |
12位数字 |
12位数字 |
Camera link / GigE串口 |
内存最高可达4 Gb |
|
同步/控制:通过TTL脉冲 |
Camera link / GigE串口 |
|
同步/控制:通过TTL脉冲 |
典型应用 |
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▪ 荧光寿命成像 |
▪ 粒子图像测速(PIV) |
▪ 喷雾成像 |
▪ 火焰分析 |
▪ 生物发光/化学发光 |
▪ 发光光谱学 |
▪ 光谱学 |
▪ 弹道学 |
▪ LIF激光诱导荧光 |
▪ 燃烧成像 |
▪ 聚变等离子体 |
▪ 激光诱导击穿光谱(LIBS) |
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992 1886
增强型相机 |
增强型CCD相机 |
增强型CMOS相机 |
4或6微米像元 |
1392(h) ×1040(v) CCD阵列 |
1280(h)×1024(v) CMOS阵列 |
快速P43(1 毫秒衰减@10%)和P46(0.2us@10%)输出衰减 |
输入像素尺寸: 6.45 x 6.45微米 |
输入像素尺寸: 12 x 12微米 |
单微通道板(MCP)分辨率> 60 lp /mm,调制对比度高,可达8000个发光增益 |
1:1 (11mm) - 1.6:1 (18mm) and 2.2:1 (25mm)demagnification ratio between intensifier and CCD diagonal |
1.27:1 (25mm) demagnification ratio between intensifier and CMOS diagonal |
双MCP堆栈,光子计数灵敏度高达300,000光量增益 |
13 fps,全分辨率@ 25 MHz |
500 fps @全分辨率@ 67 MHz |
输入尺寸从18毫米到25毫米不等 |
32 fps在binning 2x2@12.5 MHz |
ROI VGA格式> 1000 fps |
石英,玻璃和或光纤输入窗口,光纤输出窗口 |
读出噪声:8-9电子@12.5兆赫和11-13电子@25mhz |
最大帧速率:在1024x16分辨率下为25 kHz |
多碱光电阴极, EBI噪声可降至每像素每秒3×10-3 counts/秒/像素,用于UV和蓝光响应的相机 |
全阱容量: 18,000 electrons in binning 1x1 and32,000 electrons in binning 2x2 |
读出噪声: 43 电子 @ 67 MHz |
GaAsP和GaAs光电阴极分别选择可见和红光响应相机, EBI噪声6×10-2 counts/秒/像素 |
暗电流: 3个电子/像素/秒 |
全阱容量: 63,000个电子 |
标准选通: 100ns 30 kHz重复频率 |
Full vertical binning for 1D spectroscopy |
暗电流:12个电子/像素/帧@全分辨率 |
通过使用特殊的导电涂层,超快速选通至3纳秒,使用专用脉冲发生器/门控电源单元实现MHz重复频率,门电路时间可调,延迟时间可达纳秒级 |
12位数字 |
12位数字 |
Camera link / GigE串口 |
内存最高可达4 Gb |
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同步/控制:通过TTL脉冲 |
Camera link / GigE串口 |
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同步/控制:通过TTL脉冲 |